中国记忆体厂正加速布局HBM，但关键环节出现卡点。国内最大DRAM厂长鑫存储的HBM3进展受阻，其作为第四代HBM方案，原计划2026年上半年发布，目前仍停留测试阶段，且尚未获得任何量产订单。
业内人士透露，HBM3所需原料仅能支撑样品生产，远未具备大规模量产条件，甚至今年内完成量产准备的可能性也被认为较低。
与此同时，中国AI市场快速扩张，对HBM需求激增。国内厂商虽已推出HBM3样品，拟配套新一代AI芯片，但受制于量产能力，供应链瓶颈已开始显现。
封装端方面，长电科技推出基于2.5D堆叠技术的HBM3e方案，单堆叠频宽达960GB/s，互连密度提升20%。不过问题不在设计，而在制造能力不足，只能依赖外包生产。
这一延迟正直接冲击下游。包括华为在内的中国AI芯片厂商，将面临关键存储供给不足，不得不依赖外部方案，或推迟下一代产品发布。
设计能跟上，产能跟不上，才是真正的卡脖子。
长鑫存储在HBM3的生产方面遇到瓶颈，其HBM3记忆体是其第四代HBM解决方案，最初计划于2026年上半年发布，但尚未接到任何量产订单。（路透）
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中国AI突然卡壳 华为被迫等，来源：阿波罗网王笃若报导
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